機械繼電器VS MOS FET繼電器

①尺寸小巧，有助于實現設備的小型化、高密度化

以10個貼裝面積進行比較時(0.3mm間隔的貼裝)

②長壽命

由于沒有接點(＝無機械壽命)，所以有助于削減采用大量繼電器的商品維護頻率。

③穩(wěn)定的導通電阻

與機械式繼電器相比，無接點MOS FET繼電器的導通電阻不依賴于開關次數。

持續(xù)保持穩(wěn)定的低導通電阻。

④低功耗

與干簧管繼電器相比，輸入側的消耗功率極低，可為設備的節(jié)能作貢獻。

⑤其他特性

半導體設備 VS MOS FET繼電器

①優(yōu)異的線性度特性

由于晶體管耦合器或雙向可控硅耦合器的輸出側單元所具線性度較低，所以在輸出之間通過的信號會發(fā)生失真。
MOS FET繼電器與晶體管耦合器或雙向可控硅耦合器不同，可通過與機械式繼電器相匹配的超群線性度特性，有效抑制信號的失真。
可控制模擬信號，所以最適用于測試器、測量設備。

②穩(wěn)定的低電流驅動有助于節(jié)能

MOS FET繼電器

如果是MOS FET繼電器，輸出切換電流則不會受到輸入電流的影響。
MOS FET繼電器通過極小電流即可運行，可為設備的節(jié)電作貢獻。在達到使用壽命后，輸出電流不會像晶體管耦合器那樣下降。

晶體管耦合器

晶體管耦合器在增大輸入側電流時，輸出側電流也會變大，所以與MOS FET繼電器相比，會消耗更多的電力。
因此，LED老化會使輸出也跟隨減弱，由此需要更多的電力。

③通過低輸入電流控制高輸出切換電流

④微小漏電流

與其他半導體設備相比，關閉狀態(tài)時的漏電流極小，所以還可執(zhí)行微小電流的測定?？刂贫嘤嗟穆╇娏?，有助于抑制性能老化所致發(fā)熱下降或電路的錯誤動作。

⑤支持AC/DC的豐富種類

可支持AC和DC的豐富種類擴大了應用的使用范圍。